[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980102246.7 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101911269A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 铃木武;保手浜健一;平野浩一;中谷诚一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1333;G02F1/1362;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体装置，其特征在于，具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成所述金属层的金属的金属氧化膜，形成在所述金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着所述金属氧化膜形成在所述栅极电极之上，在所述金属层的表面区域中，局部形成有未被所述金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由所述非覆盖部位，所述源极电极和所述半导体层之间以及所述漏极电极和所述半导体层之间相互电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
