[发明专利]半导体装置用接合线有效
申请号: | 200980100379.0 | 申请日: | 2009-01-20 |
公开(公告)号: | CN101802994A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 宇野智裕;木村圭一;山田隆 | 申请(专利权)人: | 新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C22C5/02;C22C9/00;C22F1/08;C22F1/14;C22F1/00;H01B5/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供一种高功能的接合线,其能够抑制球紧上部的线倾倒(倾斜)和弹回不良,环直线性、环高度的稳定性等也优异,能够适应于叠层芯片连接、细线化、窄间距组装等半导体组装技术。本发明的半导体装置用接合线,是具有由导电性金属形成的芯材和在该芯材上的以与芯材不同的金属为主成分的表皮层的接合线,其特征在于,该表皮层的表面的晶粒的沿圆周方向的平均尺寸a和线轴的垂直截面上的该芯材的晶粒的平均尺寸b的关系为a/b≤0.7。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】:
一种半导体装置用接合线,是具有由导电性金属形成的芯材和在所述芯材上的以与芯材不同的金属为主成分的表皮层的半导体装置用接合线,其特征在于,线表面的所述表皮层晶粒的沿线圆周方向的平均尺寸a与垂直截面上的所述芯材晶粒的平均尺寸b的关系为a/b≤0.7,所述垂直截面为与线轴垂直的方向的截面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司,未经新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980100379.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有联锁组件的微型充氧器
- 下一篇:一种充气装置及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造