[实用新型]从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器

摘要

本专利公开了一种从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器，器件结构包括：采用激光打孔机打的直径为60微米面阵的微孔中含有电镀金(8)的蓝宝石衬底(7)；双面精抛处理且长阳极氧化膜的碲镉汞材料(12)晶片，其中与环氧树脂胶(9)接触的一面增加了一层ZnS抗反膜(10)；把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上的环氧树脂胶(9)；在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上的电极。电极通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金；电路板蓝宝石基板(1)与芯片背面的电镀金(8)通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。本专利的优点在于，器件的占空比高，电极从衬底面引出，避免了传统正照射工艺中电极对入射光的阻碍，也避免采用背照射工艺中衬底对入射光信号的影响。

主权项

一种从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器，经阳极氧化处理的碲镉汞材料(12)的带有阳极氧化层一(11)的一面镀ZnS抗反膜(10)后通过环氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)相连，其特征在于：所述的蓝宝石衬底(7)上面有直径为60微米的填满电镀金(8)的面列阵微孔；所述的碲镉汞材料(12)的下表面有一层阳极氧化层一(11)与ZnS抗反膜(10)，碲镉汞材料(12)晶片通过环氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)粘结在一起，碲镉汞材料(12)上表面有一层阳极氧化层二(13)；电路板通过井伸工艺与碲镉汞材料(12)和电镀金(8)连接，电路与芯片背面的电镀金(8)分别长有电路板铟柱(4)和芯片铟柱(5)，通过铟柱互连技术，使信号读出。