[发明专利]一种锑化物超晶格甚长波红外探测器中抑制扩散暗电流的结构在审

专利信息
申请号: 202010528821.8 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111710732A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 施毅;岳壮豪;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇;王军转;郑有炓 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/103
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器,包括从下到上的以下结构:衬底,缓冲层,中长波欧姆接触层,甚长波波段吸收层,中长波波段势垒层,中长波波段接触层,顶盖层;缓冲层外延于所述衬底之上;中长波波段接触层称为P区,外延于所述缓冲层之上;甚长波波段吸收层称为π区,外延于所述中长波波段接触层P区之上;中长波波段势垒层,外延于所述吸收层之上;中长波波段接触层,外延于所述势垒层之上;本发明结构引入了高掺杂的吸收区进一步降低扩散暗电流以使红外探测器具备高综合探测率。
搜索关键词: 一种 锑化物超 晶格 长波 红外探测器 抑制 扩散 电流 结构
【主权项】:
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