[实用新型]从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器无效

申请号：	200920269051.9	申请日：	2009-11-18
公开（公告）号：	CN201812821U	公开（公告）日：	2011-04-27
发明（设计）人：	包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L27/144	分类号：	H01L27/144;H01L23/482
代理公司：	上海新天专利代理有限公司 31213	代理人：	郭英
地址：	20008***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	背面电极碲镉汞长波红外光电导探测器
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【权利要求书】：

1.一种从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器，经阳极氧化处理的碲镉汞材料(12)的带有阳极氧化层一(11)的一面镀ZnS抗反膜(10)后通过环氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)相连，其特征在于：所述的蓝宝石衬底(7)上面有直径为60微米的填满电镀金(8)的面列阵微孔；所述的碲镉汞材料(12)的下表面有一层阳极氧化层一(11)与ZnS抗反膜(10)，碲镉汞材料(12)晶片通过环氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)粘结在一起，碲镉汞材料(12)上表面有一层阳极氧化层二(13)；电路板通过井伸工艺与碲镉汞材料(12)和电镀金(8)连接，电路与芯片背面的电镀金(8)分别长有电路板铟柱(4)和芯片铟柱(5)，通过铟柱互连技术，使信号读出。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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