[实用新型]一种多芯片集成封装的LED无效
申请号: | 200920190457.8 | 申请日: | 2009-07-28 |
公开(公告)号: | CN201549507U | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 楼满娥;郭邦俊 | 申请(专利权)人: | 浙江迈勒斯照明有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人: | 戴晓翔 |
地址: | 311404 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种多芯片集成封装的LED,涉及一种LED,在采用焊接进行固晶时,芯片因焊料融化时的张力而移位,减小接触面而影响热传递,使芯片产生过热点,限制LED性能的提升。本实用新型包括一LED基座、设于基座上的复数个LED芯片及连接芯片的导电件,其特征在于:所述的基座上方覆有银反射层,所述银反射层的上表面为芯片承载面,所述的芯片承载面上设有复数个向上开口用以插接芯片的容置腔;所述容置腔的侧壁为限制芯片移动的限位面,其底面为芯片承载面,所述容置腔的底部纳有将芯片固接于芯片承载面的焊锡层。设插接芯片的容置腔使芯片精确定位,焊接后的芯片整个底部与锡焊层充分接触,防止产生过热点,延长光源的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 集成 封装 led | ||
【主权项】:
一种多芯片集成封装的LED,包括一LED基座(1)、设于基座(1)上的复数个LED芯片(3)及连接芯片(3)的导电件,其特征在于:所述的基座(1)上方覆有银反射层(7),所述银反射层(7)的上表面为芯片承载面,所述的芯片承载面上设有复数个向上开口用以插接芯片(3)的容置腔(4);所述容置腔(4)的侧壁为限制芯片(3)移动的限位面,其底面为芯片承载面,所述容置腔(4)的底部纳有将芯片(3)固接于芯片承载面的焊锡层(2)。
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