[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 200910265655.0 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101771124A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件。在氮化物半导体发光元件中，透光衬底(1)具有上表面，至少包括发光层(5)的氮化物半导体层形成在该上表面上。凹部区域和凸部区域形成在透光衬底(1)的上表面上。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域之一通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域中的另一个形成为彼此不连成直线。具有这种构造的氮化物半导体发光元件具有优良的光提取效率并可以以适中的成本制造。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其中至少包括发光层的氮化物半导体层形成在透光衬底上，所述透光衬底具有上表面，在该上表面上形成有多个凹部区域和凸部区域，其中：在平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的一方通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角，以及在从平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的另一方形成为彼此不连成直线。
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