[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其中至少包括发光层的氮化物半导体层 形成在透光衬底上，

所述透光衬底具有上表面，在该上表面上形成有多个凹部区域和凸部区 域，其中：

在平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的一方通过具有至 少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角，以及

在从平面图看时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的另一方形成为 在所有方向彼此不连成直线。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中：

所述多边形具有放射状突出的多个突出部分，在所述多边形的相邻突出 部分之间具有间隔，以及

在所述多边形的各所述间隔中，设置相邻多边形的突出部分。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中构成所述多边形 的边包括平行于所述氮化物半导体层中的晶面的边。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中所述多边形由所 述氮化物半导体层中的晶轴的<11-20>方向上的边构成。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中各所述凹部区域 和各所述凸部区域具有20μm或更小的宽度。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中各所述凸部区域 具有40nm或更大的高度，各所述凹部区域具有40nm或更大的深度。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中各所述凹部区域 和各所述凸部区域具有锥形的侧表面。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，在从平面图看 时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的所述另一方形成为以连续的方式 彼此连接。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，在从平面图看 时，各所述凹部区域和各所述凸部区域中的所述一方以不连续的方式形成。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中所述透光衬底 具有比所述氮化物半导体层的折射率小的折射率。

11.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中所述透光衬底 对于发射的光具有比所述氮化物半导体层更高的透射率。

12.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中所述氮化物半 导体层包括n型氮化物半导体层、所述发光层和p型氮化物半导体层。

13.根据权利要求12所述的氮化物半导体发光元件，其中在所述p型氮 化物半导体层的表面形成有电流扩散层。

14.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光元件，其中所述电流扩散 层包括透明导电膜。

15.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光元件，其中在所述p型氮 化物半导体层和所述电流扩散层之一的表面形成有用于反射发射的光的反 射层。

16.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中AlN缓冲层形 成在所述透光衬底的所述上表面上。