[发明专利]超高压脉冲整流硅堆无效

专利信息
申请号: 200910265008.X 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101740555A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 李欣;李劲;李远;郑容峰 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00
代理公司: 成都惠迪专利事务所 51215 代理人: 刘勋
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 超高压脉冲整流硅堆,涉及高频整流技术。本发明包括串联的多个二极管层,每个二极管层由多个并联在上下两块金属板之间的二极管构成,每个二极管层还并联有均压电容。本发明的有益效果是,本发明的硅堆能够在100ns以内,对300kV及以下的猝发脉冲实现有效关断,从而阻隔反向电压,可以工作在10MHz及以内频率,解决了高压、高频整流的问题。
搜索关键词: 超高压 脉冲 整流
【主权项】:
超高压脉冲整流硅堆,其特征在于,包括串联的多个二极管层,每个二极管层由多个并联在上下两块金属板之间的二极管(1)构成,每个二极管层还并联有均压电容(2)。
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