[发明专利]超高压脉冲整流硅堆无效
申请号: | 200910265008.X | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN101740555A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李欣;李劲;李远;郑容峰 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 超高压脉冲整流硅堆,涉及高频整流技术。本发明包括串联的多个二极管层,每个二极管层由多个并联在上下两块金属板之间的二极管构成,每个二极管层还并联有均压电容。本发明的有益效果是,本发明的硅堆能够在100ns以内,对300kV及以下的猝发脉冲实现有效关断,从而阻隔反向电压,可以工作在10MHz及以内频率,解决了高压、高频整流的问题。 | ||
搜索关键词: | 超高压 脉冲 整流 | ||
【主权项】:
超高压脉冲整流硅堆,其特征在于,包括串联的多个二极管层,每个二极管层由多个并联在上下两块金属板之间的二极管(1)构成,每个二极管层还并联有均压电容(2)。
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