[发明专利]超高压脉冲整流硅堆无效
| 申请号： | 200910265008.X | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101740555A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李欣;李劲;李远;郑容峰 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高压 脉冲 整流 | ||
【权利要求书】：
1.超高压脉冲整流硅堆，其特征在于，包括串联的多个二极管 层，每个二极管层由多个并联在上下两块金属板之间的二极管(1) 构成，每个二极管层还并联有均压电容(2)，在层间金属板的边缘设 置有匀场环(3)，所述匀场环(3)为金属环；金属板为圆形，每个 二极管层的二极管为圆柱状分布，二极管和金属板的连接点在金属板 的边缘，均压电容和金属板的连接点在金属板中心。
2.如权利要求1所述的超高压脉冲整流硅堆，其特征在于，相 邻的二极管层共用一块金属板。
3.如权利要求1所述的超高压脉冲整流硅堆，其特征在于，所 述金属板为印刷电路板的金属薄板，相邻的二极管层共用一块双面印 刷电路板。
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