[发明专利]一种半导体副栅极一金属主栅极晶体硅太阳电池制备方法无效
| 申请号： | 200910264900.6 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101826573A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 屈盛 | 申请（专利权）人： | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体副栅极一金属主栅极晶体硅太阳电池制备方法，它涉及的是晶体硅太阳电池金属电极的技术领域，具体涉及的是一种半导体副栅极一金属主栅极晶体硅太阳电池制备方法。它由多条半导体副栅极(1)和几条金属电极主栅线(2)组成。它既能充分利用丝网印刷工艺的简单、低成本、高产量和高度自动化的优点，又能有效地降低太阳电池金属电极的遮光面积，提高其光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 栅极 金属 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于它由多条半导体副栅极(1)和几条金属电极主栅线(2)组成，其中这些半导体副栅极(1)是硅片表面因重掺杂而形成的细线条区域，几条金属电极主栅线(2)将多条半导体副栅极1相互连接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧贝黎新能源科技股份有限公司，未经欧贝黎新能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910264900.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
