[发明专利]一种半导体副栅极一金属主栅极晶体硅太阳电池制备方法

权利要求书

1.一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于它由多条半导体副栅极(1)和几条金属电极主栅线(2)组成，其中这些半导体副栅极(1)是硅片表面因重掺杂而形成的细线条区域，几条金属电极主栅线(2)将多条半导体副栅极1相互连接在一起。

2.根据权利要求1所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于它的制备步骤：一、硅片表面织构化，二、丝网印刷磷浆料细线，三、高温扩散获得低方块电阻的细栅线和方块电阻合适的其它发射区，四、去除周边或背面PN结，五、去除磷硅玻璃，六、镀减反射膜，七、丝网印刷背面电极及背面铝浆料并烘干，八、丝网印刷正面银浆料主栅线，九、电极共烧结。

3.根据权利要求1所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的多条半导体副栅极(1)优先地采用在P型硅片表面上丝网印刷出高浓度磷浆料栅线图案，然后进行高温热扩散而获得。

4.根据权利要求1所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的多条半导体副栅极(1)还可以采用先在整个P型硅片正表面上丝网印刷高浓度磷浆料，然后采用激光选择性加热硅片表面而获得。

5.根据权利要求1所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的多条半导体副栅极(1)线条宽度在10-150μm，条数可以根据需要调整，每厘米长度内的条数为2-50条。

6.根据权利要求2所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的硅片表面织构化是指采用酸、碱湿法腐蚀的方法在硅片表面腐蚀出微小的凹坑结构。

7.根据权利要求2所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的去除周边或背面PN结是指采用酸、碱等湿法腐蚀的方法将扩散中在硅片周边和背面的PN结去除掉。

8.根据权利要求2所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的镀减反射膜是指采用等离子体增强化学气相沉积的方法在硅片表面沉积氮化硅减反射膜。

9.根据权利要求2所述的一种半导体副棚极一金属主棚极晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于所述的镀减反射膜还可以先采用高温热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅薄膜，然后再采用常压化学气相沉积的方法再在二氧化硅层上沉积二氧化钛薄膜层。