[发明专利]漂移阶跃恢复二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910263948.5 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101777587A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘忠山;杨勇;崔占东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L27/08;H01L21/329;H01L21/77 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省石家庄市合作路113*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种纳秒脉冲源器件中的作为开关使用的漂移阶跃恢复二极管及其制备方法。基底为N型衬底(1)，在N型衬底(1)内部通过掺杂形成有掺磷的N+区(1-1)、掺铝的P区(1-3)、掺硼的P+区(1-4)；其中N+区(1-1)与P+区(1-4)位于N型衬底(1)的两侧，P+区(1-4)与P区(1-3)相邻接，P区(1-3)与N+区(1-1)通过N区(1-2)隔离开，其特征在于P+区(1-4)与P区(1-3)总的结深为100μm～130μm。通过改变DSRD器件的内部结构，以解决脉冲前沿大、负载上电压脉冲小、DSRD器件上损耗的预脉冲能量大的问题，从而提高了DSRD开关的切断速度。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 阶跃恢复二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种漂移阶跃恢复二极管，其基底为N型衬底(1)，在N型衬底(1)内部通过掺杂形成有掺磷的N+区(1-1)、掺铝的P区(1-3)、掺硼的P+区(1-4)；其中N+区(1-1)与P+区(1-4)位于N型衬底(1)的两侧，P+区(1-4)与P区(1-3)相邻接，P区(1-3)与N+区(1-1)通过N区(1-2)隔离开，其特征在于P+区(1-4)与P区(1-3)总的结深为100μm～130μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910263948.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
