[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括：设置在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的按顺序层叠的第一导电层、第二导电层；覆盖氧化物半导体层、包括栅电极(所述第一导电层及所述第二导电层)的栅极布线的绝缘膜；以及在绝缘膜上的按顺序层叠第三导电层、第四导电层的电连接到氧化物半导体层。所述栅电极使用第一导电层形成。所述栅极布线使用第一导电层和第二导电层形成。源电极使用第三导电层形成。源极布线使用第三导电层和第四导电层形成。

主权项

一种半导体装置，其包括：设置在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；覆盖所述氧化物半导体层的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的具有栅电极并包括层叠的第一导电层、第二导电层的栅极布线；覆盖所述氧化物半导体层和包括所述栅电极的所述栅极布线的绝缘膜；以及所述绝缘膜上的具有源电极并包括层叠的第三导电层、第四导电层的源极布线，该源极布线电连接到所述氧化物半导体层，其中所述栅电极使用所述第一导电层形成，所述栅极布线使用所述第一导电层和所述第二导电层形成，所述源电极使用所述第三导电层形成，并且所述源极布线使用所述第三导电层和所述第四导电层形成。