[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；

覆盖所述氧化物半导体层的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的栅极布线，

其中，所述栅极布线使用第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电 层形成，在所述栅极绝缘膜上的包括所述第一导电层且不包括所述第二导电 层的栅电极；

覆盖所述氧化物半导体层、所述栅极布线和所述栅电极的绝缘膜；

所述绝缘膜上的源极布线，

其中，所述源极布线使用第三导电层和在所述第三导电层上的第四导电 层形成；以及

在所述绝缘膜上的包括所述第三导电层且不包括所述第四导电层的源 电极，

其中，该源极布线电连接到所述氧化物半导体层，

其中，所述第一导电层及所述第三导电层分别具有透光性，且

其中，所述第二导电层及所述第四导电层分别具有遮光性。

2.一种半导体装置，其包括：

在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；

覆盖所述氧化物半导体层的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的栅极布线，

其中，所述栅极布线使用第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电 层形成，在所述栅极绝缘膜上的包括所述第一导电层且不包括所述第二导电 层的栅电极；

覆盖所述氧化物半导体层、所述栅极布线和所述栅电极的绝缘膜；

所述绝缘膜上的源极布线，

其中，所述源极布线使用第三导电层和在所述第三导电层上的第四导电 层形成，

在所述绝缘膜上的包括所述第三导电层且不包括所述第四导电层的源 电极，

其中，该源极布线电连接到所述氧化物半导体层；以及

电容布线，该电容布线包括第五导电层和在所述第五导电层上的第六导 电层，

其中，所述第一导电层、所述第三导电层和所述第五导电层分别具有透 光性，且

其中，所述第二导电层、所述第四导电层和所述第六导电层分别具有遮 光性。

3.一种半导体装置，其包括：

在具有绝缘表面的衬底上的第一氧化物半导体层；

覆盖所述氧化物半导体层的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的栅极布线，

其中，所述栅极布线使用第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电 层形成，在所述栅极绝缘膜上的包括所述第一导电层且不包括所述第二导电 层的栅电极；

覆盖所述第一氧化物半导体层、所述栅极布线和所述栅电极的绝缘膜；

所述绝缘膜上的源极布线，

其中，所述源极布线使用第三导电层和设置在所述第三导电层上的第四 导电层形成，

在所述绝缘膜上的包括所述第三导电层且不包括所述第四导电层的源 电极，

其中，该源极布线电连接到所述第一氧化物半导体层；

电容布线，该电容布线包括第五导电层和在所述第五导电层上的第六导 电层；以及

保持电容部，该保持电容部包括在所述衬底上的第二氧化物半导体层、 所述栅极绝缘膜、所述第五导电层、所述绝缘膜和在所述绝缘膜上的第七导 电层，

其中，包括在所述第七导电层中的材料与包括在所述第三导电层中的材 料相同，

其中，所述第一导电层、所述第三导电层、所述第五导电层和所述第七 导电层分别具有透光性，且

其中，所述第二导电层、所述第四导电层和所述第六导电层分别具有遮 光性。

4.根据权利要求1－3中任一权项所述的半导体装置，

其中所述第二导电层和所述第四导电层使用不同材料形成。

5.根据权利要求1－3中任一权项所述的半导体装置，

其中所述第二导电层使用包含选自铝（Al）、钨（W）、钛（Ti）、钽（Ta）、 钼（Mo）、镍（Ni）、铂（Pt）、铜（Cu）、金（Au）、银（Ag）、锰（Mn）、钕 （Nd）中的一种或多种元素的金属材料、合金、或以这些金属的氮化物形成。