[发明专利]ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池及其制备方法。本发明提供的太阳能电池，包括衬底层、位于所述衬底层之上的SiC层和位于所述SiC层之上的ZnO层。上述ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池中，所述构成衬底层的材料为Si片。所述衬底层的厚度为3-4毫米；所述SiC层的厚度为500-3000纳米；所述ZnO层的厚度为300-2000纳米。其制备方法是利用化学气相沉积方法先在衬底上制备SiC层，再制备ZnO层，制备ZnO的方法为化学气相沉积方法或反应溅射方法。本发明提供的太阳能电池，提高了异质外延薄膜的结晶质量，光电转换效率显著提高，比直接用ZnO/Si做成的太阳能电池可提高1倍以上，具有非常广阔的应用前景。

主权项

一种ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池，包括衬底层、位于所述衬底层之上的SiC层和位于所述SiC层之上的ZnO层。