[发明专利]ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 200910236480.0 | 申请日: | 2009-10-21 |
公开(公告)号: | CN101694853A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 傅竹西 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/18;C23C16/40;C23C14/34;C23C14/08;C23C16/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 230026 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | zno sic si 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备如下ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池的方法,包括如下步骤:
所述ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池,由衬底层、位于所述衬底层之上的SiC层和 位于所述SiC层之上的ZnO层组成;
所述构成衬底层的材料为Si片;
所述衬底层的厚度为3-4毫米,所述SiC层的厚度为500-3000纳米,所述ZnO 层的厚度为300-2000纳米;
1)在衬底层上外延生长SiC层;
2)在所述SiC层上外延生长ZnO层,得到所述ZnO/SiC/Si异质结太阳能电池;
步骤1)中,所述外延生长SiC层的方法为化学气相沉积方法;
所述化学气相沉积或金属有机化学气相沉积方法中,选用氢气作为载气,选用硅 烷和丙烷作为反应源,选用铝源作为掺杂剂;
所述铝源为三甲基铝;所述硅烷的流量为60-100毫升/分钟,所述丙烷的流量为 1-3毫升/分钟;所述三甲基铝的流量为2-5毫升/分钟;沉积的温度为1100-1350℃; 沉积的时间为40-90分钟;所述载气的流量为1.5-3升/分钟;沉积的压力为500-5000Pa;
步骤2)中,所述外延生长ZnO层的方法为化学气相沉积方法或反应溅射方法;
所述化学气相沉积方法和金属有机化学气相沉积方法中,选用氮气作为载气,选 用水蒸气、一氧化碳、二氧化碳和二氧化氮中的至少一种作为氧源,选用二乙基锌作 为另一反应源,选用铝源作为掺杂剂;
所述反应溅射方法中,选用含铝的锌靶或者同时用铝靶和锌靶作为靶材,选用氧 气作为反应气体,选用氩气作为溅射气体;
所述化学气相沉积方法和金属有机化学气相沉积方法中,所述载气的流量为1-3 升/分钟;沉积的温度为300-700℃,沉积的时间为40-80分钟;所述氧源和所述二乙 基锌的摩尔比为1∶1-1∶4;
所述反应溅射方法中,所述含铝的锌靶中,铝和锌的重量比为0.1%;所述铝靶和 锌靶中,铝和锌的重量比为0.1%;所述氧气和氩气的压力比为1∶2-1∶6,溅射的 压力为300-1000Pa,溅射的温度为200-450℃,溅射的功率为20-200W,溅射的时间 为0.5-2小时。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中,所述硅烷的流量 为80毫升/分钟,所述丙烷的流量为2毫升/分钟;所述三甲基铝的流量为3毫升/分 钟;沉积的温度为1300℃;沉积的时间为60分钟;所述载气的流量为2升/分钟;沉 积的压力为1500Pa;
所述步骤2)中,所述化学气相沉积方法和金属有机化学气相沉积方法中,所述 载气的流量为2升/分钟;沉积的温度为500℃,沉积的时间为60分钟;所述氧源和 所述二乙基锌的摩尔比为1∶2;
所述反应溅射方法中,所述氧气和氩气的压力比为1∶4,溅射的压力为500Pa, 溅射的温度为350℃,溅射的功率为100W,溅射的时间为1小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的