[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910226581.X | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101752783A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 阿部真司;川崎和重 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体装置的制造方法，在将GaN基板搭载在基板支持器上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层在所述GaN基板的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置真空吸附所述GaN基板的N面，其特征在于，在使所述半导体层外延生长时，所述GaN基板翘曲使得Ga面的中央凹陷，所述半导体层的原料气体绕入到所述GaN基板的N面，在所述GaN基板的N面堆积外延沉积物，在使所述半导体层外延生长之后，而且在真空吸附所述GaN基板的N面之前，除去所述外延沉积物。
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