[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化物半导体装置的制造方法，其中在将GaN基 板搭载在基板支持器(holder)上的状态下，使由GaN类材料构成的 半导体层在GaN基板的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置真空吸 附GaN基板的N面，本发明特别涉及一种能够防止真空吸附时的GaN 基板的破裂(cracking)的氮化物半导体装置的制造方法。

背景技术

GaN类材料作为蓝色发光元件的材料而备受瞩目(例如，参考专 利文献1)。由GaN类材料构成的半导体层在将GaN基板搭载在基板 支持器上的状态下，在GaN基板的Ga面外延生长。其后，为了晶片 的输送或转印加工(transcription process)等，需要用真空吸附装置真 空吸附GaN基板的N面。

[专利文献1]日本专利申请特开2008-251683号公报

GaN基板最初发生翘曲(warp)使得Ga面的中央凹陷(dent)。 而且，当在GaN基板上使半导体层外延生长时，随着半导体层变厚， 因半导体层的应力会使翘曲量增加。例如，在50mmφ晶片的情况下， 中心部和外周部的高度之差变为40μm。因此，半导体层的原料气体会 绕入到(go around)GaN基板的N面，并在GaN基板的N面堆积包 含原料气体的构成物质的堆积物(以后，称为外延沉积物(epitaxial deposit))。因该外延沉积物而存在用真空吸附装置真空吸附GaN基板 的N面时GaN基板会破裂的问题。

此外，由于GaN是宽带隙半导体，所以使在脊(ridge)形成或电 极构图等转印加工中使用的g线(波长436nm)等波长长的光透过。 因此，当在GaN基板的N面有外延沉积物时，存在使漫反射发生、转 印加工变得不稳定的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述这样的问题而完成的，其目的在于得到一 种可以防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造 方法。

本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，在将GaN基板搭载 在基板支持器上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层在上述 GaN基板的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置真空吸附上述GaN 基板的N面，其特征在于，在使上述半导体层外延生长时，上述GaN 基板发生翘曲使得Ga面的中央凹陷，上述半导体层的原料气体绕入到 上述GaN基板的N面，在上述GaN基板的N面堆积外延沉积物，在 使上述半导体层外延生长之后，而且在真空吸附上述GaN基板的N面 之前，除去上述外延沉积物。

通过本发明，可以防止真空吸附时的GaN基板的破裂。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的氮化物半导体装置的剖面图。

图2是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图3是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图4是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图5是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图6是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图7是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图8是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图9是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图10是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图11是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图12是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图13是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图14是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图15是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图16是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。

图17是用于说明本发明实施方式1的氮化物半导体装置的制造方 法的剖面图。