[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置的制造方法，在将GaN基板搭载在基板 支持器上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层在所述GaN基板 的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置真空吸附所述GaN基板的N 面，其特征在于，

在使所述半导体层外延生长时，所述GaN基板翘曲使得Ga面的 中央凹陷，所述半导体层的原料气体绕入到所述GaN基板的N面，在 所述GaN基板的N面堆积外延沉积物，

在使所述半导体层外延生长之后，而且在真空吸附所述GaN基板 的N面之前，除去所述外延沉积物。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置的制造方法，其特征 在于，还具备：在所述半导体层上涂敷抗蚀剂的工序；以及在用所述 真空吸附装置真空吸附所述GaN基板的N面的状态下对所述抗蚀剂进 行曝光的工序。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，通过研磨或磨削所述GaN基板的N面，从而除去所述外延 沉积物。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，通过干法刻蚀所述GaN基板的N面，从而除去所述外延沉 积物。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，通过使用KOH相对于所述GaN基板的Ga面来有选择地刻 蚀N面，从而除去所述外延沉积物。

6.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，所述外延沉积物发生氧化，使用HCl来除去所述外延沉积 物。

7.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，还具备：在进行除去所述外延沉积物的工序之前用保护膜 覆盖所述半导体层的工序；以及在除去所述外延沉积物之后用湿法刻 蚀除去所述保护膜的工序。

8.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置的制造方法，其 特征在于，所述半导体层包含AlGaN。