[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件无效
| 申请号： | 200910225920.2 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101707193A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 富坂学;小岛久稔;新美彰浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件，其中一种金属电极形成方法包括：在衬底(11)上形成基底电极(12)；形成保护膜(13，53)，其在基底电极上具有开(13a，53a)，以从该开口将基底电极暴露出来；形成覆盖保护膜和开口的金属膜(14，54)；在吸附台(21)上固定衬底，并通过表面形状测量装置(23)测量表面形状；通过形变装置(24)使衬底形变，使得主表面和切削表面之间的差异在预定范围内；测量主表面的表面形状，并判断该差异是否在预定范围内；以及沿该切削表面切削衬底，以将金属膜构图成金属电极(15，55)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 形成 方法 具有 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底(11)，其具有主表面和背侧表面；基底电极(12)，其电连接到半导体元件，其中所述基底电极(12)设置在所述半导体衬底(11)的所述主表面上；保护膜(13，53)，其设置于所述基底电极(12)上，其中所述保护膜(13，53)包括开口(13a，53a)，所述基底电极(12)的一部分通过所述开口而暴露出来；以及金属电极(15，55)，其设置在所述保护膜(13，53)的所述开口(13a，53a)中并接触所述基底电极(12)的所述部分，其中所述保护膜(13，53)的表面和所述金属电极(15，55)的表面的平坦度偏差小于所述半导体衬底(11)的所述背侧表面的粗糙度，并且其中以如下方式提供所述金属电极(15，55)：切削用于覆盖所述保护膜(13，53)和所述保护膜(13，53)的所述开口(13a，53a)的金属膜(14，54)，以便在具有所述金属膜(14，54)的所述半导体衬底(11)被安装在吸附台(21)上的条件下，将所述金属膜(14，54)构图成所述金属电极(15，55)。
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