[发明专利]ESD保护电路及其制造方法

摘要

本发明公开了一种ESD保护电路，由并联的第一支路和第二支路构成，第一支路由齐纳二极管(21)和第一二极管(22)串联构成，第二支路为第二二极管(23)。具体而言，n型重掺杂齐纳离子注入区(11)和p型重掺杂衬底(10)构成齐纳二极管(21)，p型重掺杂区(15a)和n阱(13a)构成第一二极管(22)，n阱(13b)和p型重掺杂衬底(10)构成第二二极管23。本发明还公开了所述ESD保护电路的制造方法。本发明具有寄生电容小，反应速度快，制造简单的优点，特别适合用作5V以下的输入输出ESD电路保护。

主权项

一种ESD保护电路，其特征是，p型重掺杂衬底(10)之上为p型外延层(12)；在p型外延层(12)和/或p型重掺杂衬底(10)之中至少具有两个独立的n阱(13a)、(13b)；所述p型外延层(12)中具有多个隔离区(14)，所述多个隔离区(14)将n阱(13a)、(13b)之间相互隔离；所述n阱(13a)和/或p型重掺杂衬底(10)之中具有n型重掺杂齐纳离子注入区(11)；所述n阱(13a)中具有p型重掺杂区(15a)；所述n阱(13b)中具有n型重掺杂区(16)；所述隔离区(14)和p型重掺杂区(15a)、(15b)之上为导电层(17)接输入输出电信号；所述p型重掺杂衬底(10)通过导电层(18)接地。