[发明专利]利用选择性外延工艺形成外延层的方法无效
| 申请号： | 200910199453.0 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102082084A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;胡亚兰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法包括：将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。本发明可减少腐蚀坑缺陷，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择性 外延 工艺 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，包括：将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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