[发明专利]半导体器件的前端制造工艺有效
| 申请号： | 200910197130.8 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044416A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的前端制造工艺，包括：硅片表面进行清洗、脱水；在硅片背面形成保护层；在硅片正面形成器件；将硅片进行退火。与现有的技术相比，本发明具有以下优点：通过在硅片背面形成保护层，避免了由于硅片背面无保护层导致杂质扩散进入硅片，同样能够防止预清洗时硅片中硅原子流失而导致的晶圆漏电流等影响晶圆质量的问题产生。进一步保证预清洗时硅片有保护层的覆盖，不会造成硅片因清洗导致的硅片不平坦，影响后续工艺光刻设备的对于晶圆的对焦。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 前端 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的前端制造工艺，其特征在于，包括：提供硅片；硅片表面进行清洗、脱水；在硅片背面形成保护层；在硅片正面形成器件；将硅片进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
