[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910195496.1 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024786A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李剑波;徐强;卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L27/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括前端器件层，所述前端器件层的表层为介电层，所述介电层中包含有填充了金属层的沟槽；在金属层以及介电层上沉积的第一高应力覆盖层；在第一高应力覆盖层上沉积的第一钝化层；在第一钝化层上沉积的第二高应力覆盖层；以及在第二高应力覆盖层上沉积的第二钝化层。根据本发明的用于互连工艺的半导体器件及其制造方法，通过高应力覆盖层与钝化层的堆叠结构改善晶片由于应力作用导致的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 工艺 中的 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于互连工艺中的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：前端器件层，所述前端器件层的表层为介电层，所述介电层中包含有填充了金属层的沟槽；在所述金属层以及介电层上沉积的第一高应力覆盖层；在所述第一高应力覆盖层上沉积的第一钝化层；在所述第一钝化层上沉积的第二高应力覆盖层；以及在所述第二高应力覆盖层上沉积的第二钝化层。
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