[发明专利]半导体存储器元件无效
| 申请号： | 200910174929.5 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101714408A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 王士纬;徐德训;宋弘政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一半导体存储器元件，包含有一第一晶体管、一第二晶体管、一源极、一程序化用栅极电极、以及一偏压电路。该第一晶体管具有一浮动栅极。该第二晶体管具有一浮动栅极。该源极为该第一与第二晶体管所共用。该程序化用栅极电极为该第一与第二晶体管所共用，该程序化用栅极电极电性绝缘于该源极。该偏压电路设置用来选择性地施加一偏压于该程序化用栅极电极。本发明可以提高元件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器元件，包含有：一第一晶体管，具有一浮动栅极；一第二晶体管，具有一浮动栅极；一源极，为该第一与第二晶体管所共用；一程序化用栅电极，为该第一与第二晶体管所共用，该程序化用栅电极电性绝缘于该源极；以及一偏压电路，设置用来选择性地施加一偏压于该程序化用栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910174929.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真空阀阀杆密封装置
- 下一篇：一种小体积多功能水龙头
