[发明专利]半导体集成电路及内置有该半导体集成电路的高频模块有效
| 申请号： | 200910174421.5 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101741410A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 加藤薰;小屋茂树;高谷信一郎;重野靖;中岛秋重;小川贵史 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H04B1/44 | 分类号： | H04B1/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路和内置该集成电路的高频模块。半导体集成电路(200)包含具有电压生成电路(100)、发送开关(101)和接收开关(102)的天线开关。发送端子(203)和输入输出端子(201)之间的发送开关(101)的晶体管(211)的通断通过发送控制电压(V_Txc)而控制。输入输出端子(201)和接收端子(205)之间的接收开关(102)的晶体管(215a～215d)的通断通过接收控制电压(V_Rxc)而控制。电压生成电路(100)的高频信号输入端子(10)与发送端子(203)连接，由DC输出端子(104)生成的负电压的DC输出电压(Vout)可供给到接收开关(102)的晶体管(215a～215d)的栅极控制端子。在向天线开关的电压生成电路供给RF发送信号时能够减少RF发送输出信号的高次谐波成分的电平增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 内置 高频 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包含至少一个具有电压生成电路、发送开关和接收开关的天线开关，其特征在于：上述发送开关连接在发送端子和输入输出端子之间，上述发送开关的发送场效应晶体管的通断能够通过提供给发送控制端子的发送控制电压的电平来控制，上述接收开关连接在上述输入输出端子和接收端子之间，上述接收开关的接收场效应晶体管的通断能够通过提供给接收控制端子的接收控制电压的电平来进行控制，上述电压生成电路的高频信号输入端子与上述发送开关的上述发送端子相连接，由上述电压生成电路的DC输出端子生成的负电压的DC输出电压能提供给上述接收开关的上述接收场效应晶体管的栅极控制端子。
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