[发明专利]半导体元件的制法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制法，包括以下步骤：形成具有第一晶体管与第二晶体管的半导体基材，其中第一晶体管具有第一虚设栅极的第一栅极结构，第二晶体管具有第二虚设栅极的第二栅极结构；移除第一与第二虚设栅极，以分别形成第一与第二沟槽；形成第一金属层以部分填充第一与第二沟槽；移除于第一沟槽中的第一金属层；形成第二金属层，以部分填充第一与第二沟槽；形成第三金属层，以部分填充第一与第二沟槽；实施热处理工艺，以回焊(reflow)第二金属层与第三金属层；以及形成第四金属层，以填充第一与第二沟槽的剩余部分。本发明提供CMOS制作流程中简单且有效方法，用以调整NMOS元件和PMOS元件的金属栅极的功函数。

主权项

1.一种半导体元件的制法，包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一晶体管与一第二晶体管于该半导体基材中，其中该第一晶体管具有一第一虚设栅极的第一栅极结构，该第二晶体管具有一第二虚设栅极的第二栅极结构；移除该第一虚设栅极与该第二虚设栅极，以分别形成一第一沟槽与一第二沟槽；形成一第一金属层以部分填充该第一沟槽与该第二沟槽；移除于该第一沟槽中的第一金属层；形成一第二金属层，以部分填充该第一沟槽与该第二沟槽；形成一第三金属层，以部分填充该第一沟槽与该第二沟槽；实施一热处理工艺，以回焊该第二金属层与该第三金属层；以及形成一第四金属层，以填充该第一沟槽与该第二沟槽的剩余部分。