[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200910150980.2 申请日: 2009-07-01
公开(公告)号: CN101621061A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 桥本贵之;平尾高志;秋山登 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/52;H02M3/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种降低寄生电感且变换效率高的非绝缘型DC-DC变换器的半导体装置。在该半导体装置中,高侧驱动器(4a)位于比高侧开关(2)更靠近半导体衬底(1)的周边的区域,且低侧驱动器(4b)位于比低侧开关(3)更靠近半导体衬底(1)的周边的区域。由此,从输入电容器的正端子经由高侧开关(2)和低侧开关(3)到达输入电容器的负端子的路径变短,且从驱动器电容器的正端子经由低侧驱动器(4b)到达驱动器电容器的负端子的路径变短,且从自举电容器的正端子经由高侧驱动器(4a)到达自举电容器的负端子的路径变短,所以能够降低寄生电感,提高变换效率。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有:漏与输入电源电位连接、源与电感连接的高侧开关;驱动上述高侧开关的高侧驱动器;漏与上述电感连接、源与基准电位连接的低侧开关;以及驱动上述低侧开关的低侧驱动器;且把上述高侧开关、上述高侧驱动器、上述低侧开关和上述低侧驱动器形成在同一半导体衬底上,其特征在于:上述高侧驱动器配置在比上述高侧开关更靠近上述半导体衬底的周边的区域,且上述低侧驱动器配置在比上述低侧开关更靠近上述半导体衬底的周边的区域。
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