[发明专利]用于清洁光掩模和半导体晶片的喷射式喷嘴和方法有效
申请号: | 200910146986.2 | 申请日: | 2009-06-05 |
公开(公告)号: | CN101728237A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 谢昆龙;吕建兴 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/02;B08B5/02 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永;马铁良 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种用来清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴及其方法。在一个实施例中,喷射式喷嘴包括供水入口,气体供应入口,与气体供应入口相连的第一行注气喷嘴,限定喷射式喷嘴出口的混合腔和放置在腔内的流混合挡板。优选地,放置和排列混合挡板以使喷射式喷嘴中的气体和水结合,从而释放夹带微型水滴的气体流将污染物颗粒从掩模清除。喷射式喷嘴能够不使用化学物质对光掩模或晶片进行清洁。在一个实施例中,水可为去离子水,气体可为氮气。在另一实施例中,喷射式喷嘴还包括间隔在第一行注气喷嘴之上或之下的、与气体供应入口相连的第二行注气喷嘴。 | ||
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【主权项】:
一种用于清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴,包括:供水入口;气体供应入口;与所述气体供应入口连接的第一行注气喷嘴;限定喷射式喷嘴出口的混合腔;放置在所述腔内的流混合挡板,所述流混合挡板被放置和排列以将气体和水结合,用于从所述喷嘴出口释放气体和水的混合物以将污染物颗粒从光刻掩模或晶片清除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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