[发明专利]用于清洁光掩模和半导体晶片的喷射式喷嘴和方法有效

专利信息
申请号: 200910146986.2 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN101728237A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 谢昆龙;吕建兴 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B08B3/02;B08B5/02
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 梁永;马铁良
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种用来清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴及其方法。在一个实施例中,喷射式喷嘴包括供水入口,气体供应入口,与气体供应入口相连的第一行注气喷嘴,限定喷射式喷嘴出口的混合腔和放置在腔内的流混合挡板。优选地,放置和排列混合挡板以使喷射式喷嘴中的气体和水结合,从而释放夹带微型水滴的气体流将污染物颗粒从掩模清除。喷射式喷嘴能够不使用化学物质对光掩模或晶片进行清洁。在一个实施例中,水可为去离子水,气体可为氮气。在另一实施例中,喷射式喷嘴还包括间隔在第一行注气喷嘴之上或之下的、与气体供应入口相连的第二行注气喷嘴。
搜索关键词: 用于 清洁 光掩模 半导体 晶片 喷射式 喷嘴 方法
【主权项】:
一种用于清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴,包括:供水入口;气体供应入口;与所述气体供应入口连接的第一行注气喷嘴;限定喷射式喷嘴出口的混合腔;放置在所述腔内的流混合挡板,所述流混合挡板被放置和排列以将气体和水结合,用于从所述喷嘴出口释放气体和水的混合物以将污染物颗粒从光刻掩模或晶片清除。
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