[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910138187.0 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101582408A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 小室雅宏 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件具有衬底、绝缘间层、作为导电图形的一个示例的互连、贯通电极以及作为连接端子的一个示例的凸块，其中绝缘间层位于衬底的表面之上，互连位于绝缘间层的表面上，贯通电极从衬底的背表面到绝缘间层的表面延伸穿过衬底和绝缘间层，其一端被连接到互连，并且凸块被设置在衬底的背表面侧上，并且被连接到贯通电极的另一端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底的一个表面上形成的第一绝缘间层；在所述第一绝缘间层上形成的导电图形；在所述衬底的另一个表面上提供的连接端子；以及贯通电极，所述贯通电极延伸穿过所述衬底和所述第一绝缘间层以便连接所述导电图形和所述连接端子。
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