[发明专利]三维集成电路的堆叠接合界面结构有效

专利信息
申请号: 200910119324.6 申请日: 2009-03-24
公开(公告)号: CN101728362A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 曾明鸿;卿恺明;陈承先;萧景文;黃宏麟;王宗鼎;谢元智 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 梁永;马铁良
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出,穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层,以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统还包括第二衬底以及接合界面结构,其中接合界面结构在穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底结合到第一衬底上。
搜索关键词: 三维集成电路 堆叠 接合 界面 结构
【主权项】:
一种堆叠半导体衬底的系统,所述系统包括:第一衬底,所述第一衬底包括:第一侧与第二侧;从所述第一侧突出的穿透衬底通孔,其中所述穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层,并且所述穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫;第二衬底;和在所述穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底键合到所述第一衬底上的接合界面结构。
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