[发明专利]一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法有效
| 申请号： | 200910114341.0 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101643937A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 何小玲;张昌龙;王金亮;霍汉德;周海涛;覃世杰;张海霞 | 申请（专利权）人： | 桂林矿产地质研究院 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B7/10 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 苏家达 |
| 地址： | 541004广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi12SiO20，简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料，置于黄金衬套管底部，在黄金衬套管的中下部放置一个开孔率为7％～10％的黄金挡板，将下部的培养料溶解区和上部的晶体生长区隔开；在黄金衬套管的顶部悬挂籽晶或金丝，按65～75％的填充度，向黄金衬套管中加入氟离子浓度为0.3～6mol/L的氟化物溶液，将黄金衬套管密封，放入高压釜中，在黄金衬套管和高压釜的夹层加入一定量去离子水或蒸馏水，密封，加热，使溶解区平均温度为365～420℃，生长区平均温度为335～385℃，经过10～90天恒温生长，得到BSO单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水热法 生长 硅酸 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种水热法生长硅酸铋(Bi12SiO20)单晶体的方法，其特征在于：在高压釜中，利用高温高压的氟化物溶液使硅酸铋溶解并重结晶生长单晶体的方法。
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