[发明专利]一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法

权利要求书

1.一种水热法生长硅酸铋Bi₁₂SiO₂₀单晶体的方法，其特征在于：在 高压釜中，利用高温高压的氟化物溶液使硅酸铋溶解并重结晶生长单晶体 的方法；

具体步骤包括：采用Bi₁₂SiO₂₀原料作为培养料，置于黄金衬套管底部， 在培养料的上方放置一个开孔率为7％～10％的黄金挡板，将培养料溶解区 和晶体生长区隔开；在黄金衬套管的顶部悬挂籽晶或金丝，并按65～75％ 的填充度，向黄金衬套管中加入氟离子浓度为0.3～6mol/L的氟化物溶液， 之后将黄金衬套管密封，放入高压釜中，在黄金衬套管和高压釜的夹层加 入一定量去离子水或蒸馏水，然后将高压釜密封，将密封后的高压釜置于 两段加热的电阻炉内加热，使溶解区平均温度为365～420℃，生长区平均 温度为335～385℃，经过10～90天恒温生长，得到Bi₁₂SiO₂₀单晶体；

所述的氟化物为氟化钾、氟化钠和氟化锂中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的水热法生长硅酸铋Bi₁₂SiO₂₀单晶体的方法， 其特征在于：所述黄金衬套管的反应腔尺寸为Φ(17～36mm)*(240～ 750mm)。

3.根据权利要求1所述的水热法生长硅酸铋Bi₁₂SiO₂₀单晶体的方法， 其特征在于：所述Bi₁₂SiO₂₀原料为玻璃态或结晶态的Bi₁₂SiO₂₀。

4.根据权利要求1所述的水热法生长硅酸铋Bi₁₂SiO₂₀单晶体的方法， 其特征在于：所述籽晶为(100)、(110)和(111)面研磨抛光成的片状 Bi₁₂SiO₂₀晶体。