[发明专利]Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法

摘要

本发明公开的Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌、碳酸锂和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Li₂O和Na₂O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Li₂O和Na₂O的ZnO为靶材，以O₂为生长气氛，控制O₂压强5-30pa，激光频率为1-5Hz，生长温度为300℃-600℃，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂；掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Li和Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。

主权项

1.Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是步骤如下：1)将纯氧化锌、碳酸锂和碳酸钠粉末经球磨混合后压制成型，在600-800℃预烧结2小时以上，再在1000-1500℃烧结2小时以上，制得掺Li2O和Na2O的ZnO靶材，Li的摩尔含量为0.1-0.5％，Na的摩尔含量为0.5-1.0％；2)将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室真空度抽到至少10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300-600℃，以掺Li2O和Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强5-30pa，激光频率为1-5Hz，进行生长，生长后在氧气保护气氛下冷却。