[发明专利]加热腔室及半导体加工设备无效

专利信息
申请号: 200910087862.1 申请日: 2009-06-24
公开(公告)号: CN101930902A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 宗令蓓 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/677;H01L21/324;C23C14/00;C23C16/00
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 赵镇勇
地址: 100016 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种加热腔室及半导体加工设备,加热腔室内并排布置多根加热管,多根加热管能同速率转动,加热管可以为管状电阻丝或红外线加热管等。还包括导线拖动装置,具体包括设置在固定支架上的转动轴,加热管的一端设有自转轴;加热管的导线一部分缠绕在转动轴上;一部分缠绕在自转轴上。工艺过程中,基板可放置在加热管上,既能对基板进行传动、又能对基板进行均匀加热、且加热效率高。可应用在物理气相沉积设备的AZO工艺腔、SiO2工艺腔、装载腔中;也可以应用在等离子体增强化学气相淀积设备或其它的半导体加工设备中。
搜索关键词: 加热 半导体 加工 设备
【主权项】:
一种加热腔室,包括加热装置,其特征在于,所述加热装置包括并排布置的多根加热管,所述多根加热管的两端设置在加热腔室下部的固定支架上;所述多根加热管能同速率转动,用于传输基板。
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