[发明专利]一种抗辐照的多叉指CMOS器件有效
| 申请号： | 200910087223.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101577279A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王文华;黄德涛;黄如;王阳元;薛守斌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极位于所述有源区范围内沿着有源区横向的宽度。优选地，相邻的两个叉指的根部内轮廓线不呈各个折角同时为90°的折线状，位于端部的两个叉指的根部外轮廓线不呈直角状。本发明多叉指CMOS器件可以有效的降低栅串联电阻，从而提高电路的性能；同时占用的版图面积减小，可提高芯片的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 多叉指 cmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐照的多叉指CMOS器件，包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极位于所述有源区范围内沿着有源区横向的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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