[发明专利]非固体电解质高频钽电容器电解液用硅溶胶制造方法有效

专利信息
申请号: 200910067218.8 申请日: 2009-07-03
公开(公告)号: CN101698485A 公开(公告)日: 2010-04-28
发明(设计)人: 聂春杰;马东阁 申请(专利权)人: 长春维鸿东光电子器材有限公司
主分类号: C01B33/14 分类号: C01B33/14;H01G9/035
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 代理人: 纪尚
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种非固体电解质高频钽电容器电解液用硅溶胶制造方法,制造方法是:1、将单质硅进行提纯,提纯后的单质硅纯度≥99.9%。2、去离子水按与单质硅1∶10~20的比例搅拌,加入0.1%~5%的氢氧化钠,反应温度为55℃~100℃,控温精度±0.5℃,反应时间30min~60min,形成硅溶胶的PH8.0~9.0。3、冷却后静置200min~500min。4、减压过滤,粒径应小于10nm。5、离心分离60s~300s,得硅溶胶成品,密度1.15~1.17g/cm3,纯度≥99.99%。本发明的有益效果是:采用本发明生产出的非固体电解质高频钽电容器具有耐高温、低漏电流、工作频率50KHz~100KHz、高频等效电容量大,ESR小,高可靠性等性能。
搜索关键词: 固体 电解质 高频 钽电容 电解液 硅溶胶 制造 方法
【主权项】:
一种非固体电解质高频钽电容器电解液用硅溶胶制造方法,其方法是:a、将制造非固体电解质高频钽电容器电解液用硅溶胶的原材料单质硅进行提纯,提纯后的单质硅纯度≥99.9%;b、用电阻率为4MΩ.cm~10MΩ.cm去离子水按与单质硅1∶10~20的比例进行充分搅拌,加入0.1%~5%的氢氧化钠,反应温度为55℃~100℃,控温精度±0.5℃,反应时间30min~60min,形成硅溶胶的PH8.0~9.0;c、硅溶胶冷却至室温,在超净环境下静置200min~500min;d、对静置后的硅溶胶在抽滤器上进行减压过滤,压力控制在1×10-3~1×10-4Pa,经过滤后的硅溶胶粒径应小于10nm;f、将抽滤后的硅溶胶采用分阶段高速离心分离,第一阶段的离心机转速要略低于第二阶段的离心机转速。分离时间60s~300s,分离出的液体即为硅溶胶成品,密度1.15~1.17g/cm3,纯度≥99.99%。
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