[发明专利]BiCMOS半导体结型可变电容及其制造方法有效
| 申请号： | 200910057632.0 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101964365A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘冬华;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS半导体结型可变电容，它包含以下部分：(a)衬底材料，包含N型的集电极区，该集电极区叠加在同导电类型的次集电极区；相应的集电极区上有多个隔离区；(b)N型穿通注入区，位于至少一对隔离区之间，并连接次集电极区；(c)覆盖在衬底材料之上的锗硅外延层，它包含非本征基区，导电类型是P型；该锗硅外延层覆盖在不包括穿通注入区的区域；(d)位于衬底上部的铟注入集电极区，位于非本征基区与次集电极区之间。此外，本发明还公开了该BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法。本发明的可变电容具有高可调性、高线性度和高品质因子，且易于集成到现有的BiCMOS工艺中去。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 半导体 可变电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS半导体结型可变电容，其特征在于，它包含以下部分：(a)衬底材料，包含N型的集电极区，该集电极区叠加在同导电类型的次集电极区；相应的集电极区上有多个隔离区；(b)N型穿通注入区，位于至少一对隔离区之间，并连接次集电极区；(c)覆盖在衬底材料之上的锗硅外延层，它包含非本征基区，导电类型是P型；该锗硅外延层覆盖在不包括穿通注入区的区域；(d)位于衬底上部的铟注入集电极区，位于非本征基区与次集电极区之间。
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