[发明专利]热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200910054968.1 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101603204A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于激光晶体领域，具体涉及一种热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法。本发明的热释光或光释光剂量学晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：按配比将原料经混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料，然后采用导向温梯法或下降法在还原气氛中生长。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体具有更高的热释光和光释光灵敏度，更宽的线性剂量响应范围，更好的热释光和光释光性能稳定性，同时具有加工方便、晶体生长温度低，成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 热释光 光释光 剂量 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热释光或光释光剂量学晶体，该晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。
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