[发明专利]硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法有效
| 申请号： | 200910054611.3 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101656244A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 耿菲;丁晓云;罗乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48;H01L23/13;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以硅片为基板的埋置微波多芯片多层互连封装结构及制作方法。其特征在于利用低成本的硅片作为芯片埋置基板，以引线键合植球技术制备金凸点，实现微波芯片间的短距离互连，以低介电常数的液态或胶状聚合物作为介质层，通过光刻、电镀、化学机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，以及有源器件和无源器件的系统集成。整个封装结构具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基埋置型 微波 组件 多层 互连 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构，其特征在于所述的多层互连封装结构以带有埋置腔体和接地屏蔽层的硅晶片作为基板，以金凸点实现层间互连，金属层和介质层交替出现的多层互连结构，实现圆片级封装。
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