[发明专利]硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构的制备方法，其特 征在于：

(i)首先利用热氧化的方法，在硅基板的正反面制备氧化硅层；

(ii)以氧化硅为掩膜在硅基板的正面进行湿法腐蚀，形成具有一定深 度的埋置腔体；

(iii)将硅基板正面用光刻胶保护，利用湿法腐蚀去除硅片背面的氧化 硅层，利于芯片散热；

(iv)在硅基板正面溅射一层TiW/Au金属层；

(v)利用喷胶机在Au层上喷涂光刻胶，经前烘，曝光，显影，形成所 需图形；

(vi)电镀一定厚度的Au层，然后去除光刻胶，形成所需的接地屏蔽层 图形和植球对准标记；

(vii)将芯片埋置在含有地层金属的埋置腔体内，利用导电胶粘接；

(viii)利用引线键合机在芯片和地层上制备金凸点，并利用劈刀回压， 将金凸点压制为圆柱状；

(ix)涂覆聚酰亚胺或苯并环丁烯介质层，静置使其平坦化，后烘；

(x)利用机械抛光技术使金凸点显露，并控制介质层的厚度，实现层 间垂直互连；

(xi)在介质层上溅射种子层金属，经涂胶、曝光、显影，形成所需布 线图形；

(xii)电镀一定厚度的Au层，形成布线层，然后去除光刻胶和种子层金 属，实现器件层内间的平面互连；

(xiii)至此完成一层介质层/金属互连结构，重复xiii-xi步骤可以实 现多层互连封装结构。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于：

(a)步骤(ii)所述的湿法腐蚀是用KOH或TMAH；

(b)步骤(iv)溅射的金属层中TiW厚度为Au的厚度为

(c)步骤(vi)形成的接地屏蔽层厚度为3-5μm；

(d)步骤(vi)形成的植球对准标记用于金凸点对准；

(e)步骤(ix)所述的涂覆的介质层厚度为20-30μm；呈液态或胶态；

(f)步骤(xii)所述的布线层厚度为3-5μm；

(g)步骤(iv)中TiW/Au金属层中，TiW层为粘附层，Au层为种子层。

3.由权利要求1所述的方法制备的硅基埋置型微波多芯组件的多层互连 封装结构，其特征在于所述的多层互连封装结构以带有埋置腔体和接地屏蔽 层的硅晶片作为基板，以金凸点实现层间互连，金属层和介质层交替出现的 多层互连结构，实现圆片级封装。

4.按权利要求3所述的结构，其特征在于微波芯片通过导电胶固定在基 板的埋置腔体内，且微波芯片的上表面与硅基板的上表面持平。

5.按权利要求3所述的结构，其特征在于所述的金凸点是以引线键合机 劈刀回压技术制备的。

6.按权利要求3所述的结构，其特征在于所述的介质层材料为低电介常 数的聚酰亚胺或苯并环丁烯。

7.按权利要求3或4所述的结构，其特征在于所述的腔体的个数、大小 及深度依所需埋置的微波芯片而定。

8.按权利要求3所述的结构，其特征在于在多层互连封装结构的最上层制作 微型天线或通过表面贴装工艺集成分立器件，实现模块的功能化。