[发明专利]功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺无效
| 申请号： | 200910049797.3 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101635259A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;吴小莉 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺，包括以下步骤：在晶片表面形成垫氧化层；在垫氧化层上形成氮薄膜；对氮薄膜进行曝光和蚀刻，形成空窗，让晶片上需要被氧化的区域暴露出来；在暴露出来的部分晶片上形成厚氧化层；以及剥除氮薄膜。本发明揭露的制作工艺，简化了目前的制作工艺；形成了剖面平滑的结终端结构，改变了结终端结构的易击穿部位，也提高了结终端结构的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 终端 结构 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：在晶片表面形成垫氧化层；在上述的垫氧化层上形成氮薄膜；对上述的氮薄膜进行曝光和蚀刻，形成空窗，让晶片上需要被氧化的区域暴露出来；在暴露出来的部分晶片上形成厚氧化层；以及剥除上述的氮薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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