[发明专利]半导体存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200910045243.6 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101777515A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 徐丹;杨中辉;刘经国;孙士祯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种半导体存储器的制造方法，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极物质层；在所述栅极物质层上形成第一掩膜，该第一掩膜遮挡周边电路区并在存储单元区定义出栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，刻蚀形成栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，进行防穿透(APT)注入。可见，其不同于现有技术利用栅极阵列作为APT注入的阻挡层，而是保留定义存储单元区栅极阵列的掩膜，作为APT注入的阻挡层，以减少栅极阵列的厚度与APT注入的关联程度，从而根据存储单元其他性能要求来降低栅极阵列的厚度，进而提高半导体存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器的制造方法，其特征是，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极物质层；在所述栅极物质层上形成第一掩膜，该第一掩膜遮挡周边电路区并在存储单元区定义出栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，刻蚀形成栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，进行防穿透注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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