[发明专利]陶瓷封装基座及其制备方法有效
| 申请号： | 200910039577.2 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101556939A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 吴崇隽;王斌;苏方宁 | 申请（专利权）人： | 珠海粤科京华电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L21/48;H03H9/05;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷封装基座结构及其制备方法，主要解决现有技术金属环设置难的问题，降低生产成本，提高生产效率。陶瓷封装基座包括陶瓷基体、通过印刷或溅射方式形成在陶瓷基体上的金属环及在陶瓷基体与印刷金属环之间形成的渗透过渡结合层。其制备方法包括：(1)配制合金膏料；(2)制作陶瓷基体；(3)通过漏印或真空溅射方式将合金膏料附着在陶瓷基体表面，形成合金膏料环层及渗透过渡结合层；(4)将合金膏料环层及陶瓷基体在还原气氛下共烧，在陶瓷基体表面形成金属环。本发明与现有技术相比具有以下优点：金属环的形状及厚度更容易控制，共烧为一整体使得气密性更好，简化了生产工艺，减少了人为造成的质量缺陷，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷封装 基座 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种陶瓷封装基座，包括陶瓷基体，其特征在于：还包括通过印刷或溅射方式形成在陶瓷基体上的金属环及在陶瓷基体与印刷金属环之间形成的渗透过渡结合层。
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