[发明专利]孤岛型再布线芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种孤岛型再布线芯片封装方法，属芯片封装技术领域。所述芯片包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊料凸点(107)。所述方法包括以下工艺过程：在芯片表面钝化层上完成孤岛应力缓冲层；完成由芯片电极到凸点下位置的再布线金属层；对再布线金属层用再布线金属表面保护层进行表面覆盖或包含对芯片表面整体覆盖，露出孤岛应力缓冲层顶部上方中间部分的凸点下金属层；在所述凸点下金属层处进行植球或印刷焊膏，并回流形成应力缓冲层上焊球凸点。本发明方法可以降低芯片芯片应力和圆片加过程的漏电流风险，提高芯片在使用中的可靠性能。

主权项

1、一种孤岛型再布线芯片封装方法，其特征在于所述芯片包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊料凸点(107)，所述芯片电极(102)设置在芯片本体(101)上，芯片表面钝化层(103)复合在芯片本体(101)表面以及芯片电极(102)外缘和表面外周边，而芯片电极(102)表面的中间部分露出芯片表面钝化层(103)，所述孤岛应力缓冲层(104)设置在芯片表面钝化层(103)上，所述再布线金属层(105)覆盖在芯片表面钝化层(103)表面、露出芯片表面钝化层(103)的芯片电极(102)表面中间部分以及孤岛应力缓冲层(104)的表面，所述再布线金属表面保护层(106)覆盖在再布线金属层(105)的表面，且露出孤岛应力缓冲层(104)顶部上方中间部分的凸点下金属层(105A)，所述应力缓冲层上焊球凸点(107)凸出设置在所述凸点下金属层(105A)表面，所述封装方法包括以下工艺过程：1)利用光刻或印刷的方式，在芯片表面钝化层上完成孤岛应力缓冲层；2)通过溅射或电镀包括化学镀的方式，结合光刻掩模技术，完成由芯片电极到凸点下位置的再布线金属层；3)对再布线金属层用再布线金属表面保护层进行表面覆盖或包含对芯片表面整体覆盖，露出孤岛应力缓冲层顶部上方中间部分的凸点下金属层；4)在所述凸点下金属层处进行植球或印刷焊膏，并回流形成应力缓冲层上焊球凸点。