[发明专利]半导体复合装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910005061.6 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101477983A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 御手洗俊;池田浩一;多田正裕;秋叶朗;盛田伸也 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/98;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微机电装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微机电装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微机电装置(31)连接的配线层(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体复合装置，其特征在于，具有形成在基板上的半导体元件；形成在所述基板上的微机电装置；与所述半导体元件和所述微机电装置连接的配线层，所述微机电装置经由空间层被保护膜包围，所述半导体电路和所述微机电装置被绝缘膜包覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
