[发明专利]下拉电路及半导体装置有效
| 申请号： | 200910004067.1 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101505146A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K3/356 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具备可减小面积的下拉电路的半导体装置。下拉电路由耗尽型NMOS晶体管和增强型NMOS晶体管构成，该耗尽型NMOS晶体管的栅极与接地电位连接，该增强型NMOS晶体管的栅极和漏极与耗尽型NMOS晶体管的源极连接，而源极与接地电位连接。耗尽型NMOS晶体管的过驱动电压低至增强型NMOS晶体管的阈值电压，可减小耗尽型NMOS晶体管的尺寸。因而，可减小下拉电路的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 下拉 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种下拉电路，在电源接通时或电源电压下降时将规定电路的规定端子固定为低电平，其中包括：耗尽型NMOS晶体管，该耗尽型NMOS晶体管的漏极与所述规定端子连接，栅极上被施加接地电压；以及增强型NMOS晶体管，该增强型NMOS晶体管的栅极和漏极与所述耗尽型NMOS晶体管的源极连接，该增强型NMOS晶体管的源极与接地电压连接，减小所述耗尽型NMOS晶体管的过驱动电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司，未经精工电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910004067.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
