[发明专利]堆叠型太阳能电池有效

申请号：	200910003221.3	申请日：	2009-01-15
公开（公告）号：	CN101783371A	公开（公告）日：	2010-07-21
发明（设计）人：	李荣仁;苏永司;李世昌	申请（专利权）人：	晶元光电股份有限公司
主分类号：	H01L31/06	分类号：	H01L31/06
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陶凤波
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明为一种堆叠型太阳能电池装置，其包含：基板，第一隧穿结，形成于基板之上；及第一p-n结，形成于第一隧穿结之上，其中第一隧穿结包含重掺杂n型层及合金层，此合金层包含原子序较镓(Ga)为大的元素。
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【主权项】：

一种堆叠型太阳能电池装置，包含：基板；第一隧穿结，形成于该基板之上；以及第一p-n结，形成于该第一隧穿结之上，其中该第一隧穿结包含重掺杂n型层及合金层，其中该合金层包含原子序较镓为大的元素。

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申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/06
摘要：公开了一种光伏(PV)电池(200)。该PV电池包括多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入该多晶光活性吸收层(204)内，其中该多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。

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申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种双面钝化的高效太阳电池和工艺方案，主要是由太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺，去磷硅玻璃，制作减反膜，丝网印刷电极、然后烧结的工艺后成为太阳电池，在制作迎光面减反射膜后，增加了一道硅片背面制作氧化铝薄膜钝化层的工序，本发明可以显著提高太阳电池的光电转换效率，成本略有提高，但收益要远远高于投入。

一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法-201110040873.1
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摘要：本发明公开了一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池制作方法，用单晶硅片为主体材料，在正面和背面分别沉积非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜，再在两面上分别沉积透明导电薄膜构成电极，最后采用丝网印刷形成正、背面的栅电极汇集光生电流。非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜的沉积工艺是热丝化学气相沉积技术，该工艺具有高速、高质量沉积薄膜的优点，适合大规模产业化生产。

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发明人：杨宏;帅争峰;王鹤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。

一种双结太阳电池及其制备方法-201010531394.5
发明人：韩培德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种双结太阳电池及其制备方法。该双结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型层和介质钝化层，且介质钝化层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上交替形成的背光面第二导电类型区和背光面第一导电类型区；在该迎光面第二导电类型层上形成的第一电极；在该背光面第二导电类型区上形成的第二电极；在该背光面第一导电类型区上形成的第三电极；以及在该第二电极和该第三电极之间形成的背光面绝缘介质层。利用本发明，避免了充分光吸收与少子扩散距离有限的矛盾，避免了背结电池中光吸收区与载流子收集区不一致的矛盾，从而提高电池效率。

一种薄膜太阳能电池及其制备方法-201010511747.5
发明人：王荣新;邢政;邱凯;张晓东;李晓伟;张宝顺;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池，包括具有光伏单元的外延片，以及覆盖复合于外延片两侧的前电极及背电极，光伏单元为薄膜结构的PN结或PIN结，前电极为透明导电薄膜或具图形结构的多层金属薄膜，太阳能电池在其朝向太阳辐照的一侧具有减反射膜。其制备方法包括：(1)太阳能电池外延片的生长；(2)外延片两侧沉积制作前电极和后电极并退火；(3)在外延片上制备隔离沟槽，并对隔离沟槽进行清洗和绝缘钝化处理，制得窗口区；(4)对外延片的窗口区制作减反射膜。本发明利用多层薄膜材料的沉积，增强太阳光进入太阳能电池结构层，提高光电转换效率。

一种浅结太阳能电池及其制备方法-201010294835.4
发明人：夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种浅结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，钝化层位于晶硅的上面，金属栅电极位于钝化层的上面，晶硅包括有PN结，PN结的深度为10纳米到200纳米。所述制备方法包括：对晶硅进行预处理；利用等离子体浸没离子注入工艺，在晶硅上制备PN结，并对PN结进行钝化处理，形成钝化层；分别在晶硅的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅电极。本发明提供的浅结太阳能电池，能够缩短载流子的传输路径，使光电转换效率提高，并且制备方法简单可控。

一种硅基异质结太阳电池-201020102974.8
发明人：倪开禄;彭德香;陶然;张正权;沈文忠;司新文;张剑;孟凡英;彭铮;李长岭;高华;李正平;周红芳 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应，实现了异质结电池结构对不同频率波段光的选择吸收，增加了入射光的总体有效利用，以提高太阳能电池的光电转换效率。

堆叠型太阳能电池-200910003221.3
发明人：李荣仁;苏永司;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明为一种堆叠型太阳能电池装置，其包含：基板，第一隧穿结，形成于基板之上；及第一p-n结，形成于第一隧穿结之上，其中第一隧穿结包含重掺杂n型层及合金层，此合金层包含原子序较镓(Ga)为大的元素。

包括异质结的光伏装置-200880100889.3
发明人：大卫·伊格尔沙姆 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L31/06
摘要：一种光伏电池可以包括半导体层之间的异质结。

太阳能电池元件-200810187542.9
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明揭示一太阳能电池元件，其包含一基板、一金属层、一高阻值膜层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该金属层可包含钼金属，且形成于该基板的表面，作为电池的背接触金属层(Back contact metal layer)。该高阻值膜层(例如V2O5)形成于该金属层表面。该p型半导体层形成于该高阻值膜层的表面，可包含铜铟镓硒(CIGS)或铜铟镓硒(CIS)的合金材料。该n型半导体层(例如CdS)形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结。透明导电层形成于该n型半导体层的表面。本发明的高阻值膜层可制作的相当薄，即可达到防止电池的正负极发生短路，且工艺简单、迅速，可增加生产效率。

太阳能电池元件及其制作方法-200810187543.3
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/06
摘要：一种太阳能电池元件及其制作方法，该元件包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该基板具有一粗糙面；金属层可包含钼金属，且形成于基板的该粗糙面上。p型半导体层形成于该金属层上，可包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。n型半导体层形成于该p型半导体层上，且与该p型半导体层形成粗糙的p-n结。n型半导体层可为硫化镉。透明导电层形成于该n型半导体层上。一实施例中，该粗糙面的粗糙度介于0.01μm至100μm之间。本发明可有效增加太阳能电池元件中p型半导体及n型半导体的p-n结的表面积，以增加光电流密度，提升发电效率。

类钻碳电子装置及其制造方法-200810174978.4
发明人：宋健民 -专利权人：宋健民
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摘要：本发明提供了一种钻碳电子装置，其包含：导电类钻碳阳极；邻接于该类钻碳阳极的非晶形电荷载子分隔层；以及邻接于该电荷载子分隔层且相对于该类钻碳阳极的阴极，该导电类钻碳的材料具有大约30至90原子百分比的sp3键结碳含量、大约0至30原子百分比的氢含量以及大约10至70原子百分比的sp2键结碳含量；其为一种可提高电子装置，达到了提升效率、降低了制造的复杂度、节省了材料成本、提高了可靠度等效果。

微通道雪崩光电二极管-200780024920.5
发明人：齐拉丁·Y·萨迪戈夫 -专利权人：泽科泰克影像系统新加坡有限公司
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摘要：本发明的微通道雪崩光电二极管涉及半导体光敏器件，也就是具有内部信号放大的半导体雪崩光电二极管。所述微通道雪崩光电二极管可以用于在医学伽马层析x射线照相装置中记录超微弱的光脉冲直到单个光子、伽马量子和带电粒子，还用于辐射检测和原子物理实验。本发明的器件特征在于，雪崩光电二极管包括衬底和具有不同的电物理性能的半导体层，该半导体层在其间以及与衬底之间具有公共的界面，该雪崩光电二极管还设置有单独的固态区域的至少一个二维矩阵，该单独的固态区域形成在该二维矩阵中并实施为用于形成电势微深度的高导电的岛的形式。为了减小体积内产生电流并改善沿器件表面的电势分布的均匀性，固态区域位于两个额外的半导体层之间，该两个额外的半导体层相对于与它们具有公共界面的半导体层表现出高的电导率。所述发明使得可以在器件体内获得此电势分布形式，其允许光电子在单独的固态区域上收集。

具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池-200820154380.4
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申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本实用新型公开了一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出。根据本实用新型，硅基片上分布有从硅片受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与之连接，从非受光面引出。本实用新型实现电池电极全部由背表面引出，取得了转换效率高、极连方便、可靠性高等有益效果。

一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺-200810093812.X
发明人：简永杰;杨茹媛;张育绮 -专利权人：东捷科技股份有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明公开了一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一衬底；一透明导电膜；一非晶硅P型半导体层；一超晶格半导体层；一本征型(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，该超晶格半导体层利用不同材料的薄膜相互堆叠而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池的光电转换效率。

倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池-200810171863.X
发明人：马克·A·斯坦;阿瑟·科恩费尔德 -专利权人：昂科公司
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明涉及倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池。一种倒置变形多结太阳能电池及其制作方法，所述太阳能电池包括上部子电池、中部子电池和下部子电池，所述方法包括：提供第一衬底以用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成上部第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成中部第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成下部第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，其中所述太阳能子电池中的至少一者具有异质结基极-发射极层。

一种提高硅太阳电池效率的发射极结构-200910060859.0
发明人：丁孔贤;李化铮;丁孔奇 -专利权人：珈伟太阳能（武汉）有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L31/06
摘要：一种提高硅太阳电池效率的发射极结构，包括已形成单个或多个PN结的硅太阳电池基片，其特征是在硅太阳电池基片受光面上的栅线与硅太阳电池基片之间的焊点处设置透明导电膜，该透明导电膜沉积在硅太阳电池基片受光面表面。本发明利用透明导电膜和焊点收集太阳电池基片表面光电流，利用栅线汇集各焊点的电流并将太阳电池基片产生的电力输出。由于本发明采用了透明导电膜和若干焊点代替背景技术中的分栅线，因此，减小太阳电池基片发射极的遮光面积以及光反射，同时还减小了太阳电池基片顶层横向电流引起的功率损失和电池的串联电阻等，进而提高硅太阳电池的效率。

利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池-200820160042.1
发明人：王玉亭;傅建奇;王栩生;吴现实;高周妙 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司;江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本实用新型公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池，包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P⁺层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P⁺层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P⁺层的厚度为5～10μm。本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25-0.6％，本实用新型适合于规模化生产。

InAs量子点材料的制备方法及其在太阳能电池中的应用-200810051600.5
发明人：李林;李占国;李梅;王勇;王晓华;曲轶;薄报学;刘国军 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/06
摘要：本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调节所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、成分和面密度，确定量子点材料的带隙。该方法易于控制，工艺稳定。

一种发射极环绕型太阳电池及其制备方法-200810224181.0
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L31/06
摘要：一种发射极环绕型太阳电池及其制备方法。该电池在硅片1内部含有按六方点阵排布的，贯穿硅片1迎光面和背光面的通孔2的阵列，从而将通孔的数量最小化，减少硅片在制孔工艺过程中的破碎率；在硅片1背光面上含有的重掺杂发射极6部分进入到通孔中，在所述重掺杂发射极6上面是第一种导电金属电极5，起到收集少子的作用。在第一种导电金属电极5周围是通过刻蚀获得的沟槽，在沟槽内是第二种导电金属电极7，起到收集多子的作用，所述第一种导电金属电极5和淀积在沟槽内的第二种导电金属电极7之间靠所述沟槽的台阶实现绝缘隔离。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]堆叠型太阳能电池有效

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