[发明专利]封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构有效
| 申请号： | 200910003189.9 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101626015A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟;刘安鸿;蔡豪殷;黄祥铭;李宜璋;何淑静 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构。该封装结构包含一第一芯片堆叠结构，通过于芯片中设置多个硅通道构件(Through Silicon Via；TSV)，作为电连结的路径，以使第一芯片堆叠结构的多个毗连芯片之间可形成电连结，并使第一芯片堆叠结构电连结至一基板。该方法包含电连结一第一芯片的至少部分该多个TSV至一基板，同时电连结一第二芯片的至少部分该多个TSV至该第一芯片的至少部分该多个TSV，藉此于该基板上，堆叠该第一芯片以及该第二芯片，完成具有芯片堆叠结构的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 量产 方法 芯片 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，包含：一基板；一电路结构，形成于该基板上；以及一第一芯片堆叠结构，形成于该电路结构上，该第一芯片堆叠结构包含多个堆叠的芯片，各该芯片具有一上表面及相对于该上表面的一下表面，且其中设有多个硅通道构件(TSV)，构成该上表面及该下表面间的电性导通；其中，各该芯片通过其中所设的TSV，分别电连结至相邻另一芯片中所设的TSV，且该第一芯片堆叠结构，通过至少部分该多个TSV，电连结至该电路结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司，未经南茂科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910003189.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：洗面盆
- 下一篇：轻型井点降水设备射流增压系统
- 同类专利
- 专利分类
